#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
规格书 |
NTB5405N |
文档 |
Multiple Devices 21/Jan/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品更改通知 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 116A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5.8 mOhm @ 40A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 88nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4000pF @ 32V |
功率 - 最大 | 150W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D2PAK |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 116A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.5V @ 250µA |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 5.8 mOhm @ 40A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 150W |
标准包装 | 50 |
漏极至源极电压(Vdss) | 40V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4000pF @ 32V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 88nC @ 10V |
漏极电流(最大值) | 16.5 A |
频率(最大) | Not Required MHz |
栅源电压(最大值) | �20 V |
输出功率(最大) | Not Required W |
功率耗散 | 3 W |
安装 | Surface Mount |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.0058 ohm |
工作温度范围 | -55C to 175C |
包装类型 | D2PAK |
引脚数 | 2 +Tab |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
通道模式 | Enhancement |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 40 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
连续漏极电流 | 16.5 A |
NTB5405NG也可以通过以下分类找到
NTB5405NG相关搜索